الوصف
في العقود الأربعة الماضية ، كان دمج الدوائر المتكاملة التناظرية والرقمية والمختلطة (IC) باستخدام تقنية أشباه الموصلات المعدنية التكميلية (CMOS) يتزايد بشكل كبير ويعمل على تحسين كل جانب من جوانب الحياة الحديثة تقريبًا. علاوة على ذلك ، فإن التطورات المستمرة في تقنية CMOS لتكامل النظام الكبير جدًا (VLSI) تسمح بكثافات تكامل أعلى ويؤدي العدد المتزايد للأنظمة الفرعية في شريحة واحدة إلى تنفيذ سرعة أعلى واستهلاك أقل للطاقة. لذلك ، فإن زيادة الرقمنة في الدوائر الإلكترونية عبر مجموعة واسعة من التطبيقات التي تعمل بالبطاريات حيث تكون الموثوقية وتبديد الطاقة أمرًا بالغ الأهمية يتطلب محولات رقمية إلى تناظرية (DACs) بدقة أعلى واستهلاك أقل للطاقة.
يحلل العمل الحالي عملية واستجابة ΔΣ DAC عند مستويات الجهد الدنيا. في نظام العتبة الفرعية ، يكون مصدر الجهد أقل بكثير من مستويات الجهد التقليدية. بالإضافة إلى ذلك ، تتمتع عمليات العتبة الفرعية بميزة على التقنيات الأخرى لتحقيق نقطة التشغيل المثلى لكل عملية وبالتالي تقليل تبديد الطاقة الكلي. تم تصميم ΔΣ DAC بتقنية TSMC 0.25 ميكرومتر CMOS.
يظهر مخطط الكتلة الرئيسي في الشكل التالي:
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.